半导体电浆制程的危害及防治

摘要：

随着半导体制造技术推进到更加先进的深亚微米技术,电浆已被越来越广泛的应用在半导体的制造过程中.由于电浆环境充斥着高能量的粒子和带电的离子及电子,所以对半导体元件结构有潜在性的破坏效应.而这种破坏效应主要是对栅极氧化层的电性损伤,进而影响器件的良率及可靠性.因此我们必须要了解电浆损伤的成因及科学的侦侧方法,并在此基础上试图找到一些方法防止电浆损伤的发生.文章讨论了半导体电浆制程对器件的危害及防治措施.

关键词：集成电路、电浆损伤、天线效应

所属期刊栏目：8

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-05-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：33-36