关于LED单灯正向电压VF不良的探讨

摘要：

文章基于LED芯片和LED单灯的工作原理和制程工艺,探讨了LED芯片封装以后正向电压VF升高和降低的常见原因,并提出了改善措施.对于GaN基双电极芯片,由于芯片工艺制程或后续封装工艺因素,造成芯片表面镀层(ITO或Ni/Au)与P-GaN外延层之间的结合被破坏,欧姆接触电阻变大.对于GaAS基单电极芯片,由于封装材料和工艺因素,导致芯片背金(N-electrode)与银胶,或银胶与支架之间的接触电阻变大,从而LED正向电压VF升高.LED正向电压VF降低最常见的原因为芯片PN结被ESD或外界大电流损伤或软击穿,反向漏电过大,失去了二极管固有的Ⅰ-Ⅴ特性.

关键词：正向电压、外延层、欧姆接触、电流扩展、金属有机化合物气相淀积、PN结

所属期刊栏目：8

分类号：TN305.94(半导体技术)

在线出版日期：2008-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：12-15