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10.3969/j.issn.1681-1070.2007.11.010

高压工艺N阱电阻SPICE模型研究

引用
文章对0.5μm/40V高压工艺中形成的N阱电阻的SPICE模型进行研究.因为高压电路的实际应用,N阱电阻的寄生效应不可忽略,所以精确反应其电学特性的SPICE模型也显得尤为重要.从N阱电阻的测量结果反映其IV曲线的非线性特性和结型栅场效应管JFET输出特性曲线具有相似性,并通过对高压阱电阻与JFET的结构分析认为可以采用JFET的电压电流关系来建立合理的数学模型反映高压阱电阻的这种非线性特性.因此在文中借用JFET的SPICE模型作为基础,用宏模型的方法为高压N阱电阻建立了一套精确的SPICE模型.此模型适用于各类仿真器,具有一定的通用性.

高压N阱电阻、SPICE模型、结型栅场效应管JFET

7

TN405(微电子学、集成电路(IC))

2008-03-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

39-44

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1681-1070

32-1709/TN

7

2007,7(11)

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