PHEMT欧姆接触的双源共蒸技术

摘要：

近年来,砷化镓器件的发展极为迅速.其中,欧姆接触的制作是器件研制的关键工艺之一.为了提高GaAs PHEMT器件欧姆接触的性能和可靠性水平,文章比较了三种常见的GaAs PHEMT器件欧姆接触制备技术的差异,分别是:分层蒸发、溅射+蒸发、双源共蒸.通过传输线模型(TLM)法测试数据以及微细形貌分析,得出双源共蒸工艺制备的欧姆接触的电阻率和均匀性综合特性最佳,因此认为双源共蒸技术在大尺寸GaAs PHEMT圆片工艺中具有最优的综合特性.

关键词：GaAs、PHEMT、欧姆接触、双源共蒸

所属期刊栏目：7

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：35-38