SOI技术问题和BSIM3SOIv1.3模型参数特点

摘要：

SOI器件具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等体硅器件不具备的优点,SOI CMOS技术开始用于深亚微米高速、低功耗、低电压大规模集成电路应用.但SOI技术还面临浮体效应、自加热效应等问题的挑战.作为SOI模型国际标准,BSIM3SOIv1.3提出了新的模型参数解决方案.BSIMPDSPICE器件模型是基于物理意义的模型,是在体硅MOS器件模型工业标准(BSIM3V3)的基础上开发而成,BSIMPD针对SOI固有的浮体效应引起的动态特性,自加热和体接触提出相应的模型参数.

关键词：PD SOI、体效应、自加热效应、BSIM3SOI

所属期刊栏目：7

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：31-34,38