单向可控硅YCR008触发电流IGT跳档的探讨

摘要：

可控硅是可控硅整流器的简称.它能在高电压、大电流条件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等优点,它是大功率开关型半导体器件,广泛应用在电力、电子线路中.可控硅分单向可控硅、双向可控硅.单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚.双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚.触发电流IGT是可控硅的重要参数之一.可控硅根据触发电流IGT大小可分为很多档位,但实际根据触发电流IGT大小进行分档时,经常出现跳档现象.文章着重探讨单向可控硅YCR008触发电流IGT低档位(0.5～6)μA产品中有高档位(20～60)μA的产品跳档原因分析以及解决此问题的方案.

关键词：IGT、VRGM、VFGM、漏电流、软击穿

所属期刊栏目：7

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2008-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：9-12