10.3969/j.issn.1681-1070.2007.10.007
8.5GHz~10GHz GaAs准单片功率放大器
文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAspHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz~10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于16%,典型功率附加效率为25%,输入电压驻波比小于2.5.
GaAs pHEMT、宽带、准单片、功率放大器
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TN722.7+5(基本电子电路)
2007-12-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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