10.3969/j.issn.1681-1070.2007.10.004
一款异步256kB SRAM的设计
在集成电路设计制造水平不断提高的今天,SRAM存储器不断朝着大容量、高速度、低功耗的方向发展.文章提出了一款异步256kB(256k×1)SRAM的设计,该存储器采用了六管CMOS存储单元、锁存器型灵敏放大器、ATD电路,采用0.5μm体硅CMOS工艺,数据存取时间为12ns.
静态随机存储器、存储单元、译码器、灵敏放大器、地址变化探测电路
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TN402(微电子学、集成电路(IC))
2007-12-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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