EEPROM电路中的等离子体损伤分析

摘要：

文章讨论了等离子体损伤造成的EEPROM电路失效,从隧道氧化层质量、器件结构、PECVD、等离子体腐蚀几方面分析了工艺中造成等离子体损伤的原因.分析结论得出金属腐蚀工艺中存在的天线效应和电子阴影效应对隧道氧化层质量有决定性影响.

关键词：隧道氧化层、等离子体损伤、金属腐蚀

所属期刊栏目：7

分类号：TN705(基本电子电路)

在线出版日期：2007-11-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：26-29