深亚微米SRAM存储单元静态噪声容限研究

摘要：

文章对深亚微米条件下的SRAM存储单元的静态噪声容限进行了详细的理论分析.并在此基础上分析考虑了各种因素对静态噪声容限的影响,并利用Hspice软件进行了仿真.仿真结果显示,理论分析的结果与实际相吻合.

关键词：深亚微米、静态随机存储器、静态噪声容限

所属期刊栏目：7

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2007-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：22-24