10.3969/j.issn.1681-1070.2007.04.008
一种基于FLATCELL结构的MASKROM芯片设计
文章介绍了一种高密度的掩模式只读存储器CMOS集成电路及其工作原理,它所采用的是平坦式离子植入绝缘工艺的存储单元结构,能使电路在有限的面积内获得较高的集成密度.重点讨论存储单元的物理原理和逻辑结构,相应的外围电路模块的电路设计与功能实现.
平坦式离子植入绝缘工艺、存储单元、掩模式只读存储器
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TN702(基本电子电路)
2007-06-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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