10.3969/j.issn.1681-1070.2007.03.007
CMOS电路中的闩锁效应研究
闩锁效应是功率集成电路中普遍存在的问题.文中分析了CMOS结构中的闩锁效应的起因,提取了用于分析闩锁效应的集总器件模型,给出了产生闩锁效应的必要条件,列举了闩锁效应的几种测试方法.最后,介绍了避免发生闩锁效应的几种方法.
闩锁效应、寄生双极晶体管、集总器件模型、版图设计
7
TN402(微电子学、集成电路(IC))
2007-04-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
24-27