10.3969/j.issn.1681-1070.2007.02.010
CMOS工艺制备的高压PMOSFET温度特性研究
采用Cascade探针台与Agilent 4155B参数测试仪测试采用15 μm P阱单层多晶单层金属CMOS工艺制作的宽长比为50∶4的高压PMOSFET在不同温度下(27℃~200℃)的器件特性,包括漏电流IDS阈值电压VT、栅跨导gm的温度特性,并与常压PMOSFET温度特性比较,推导阈值电压值与温度的简单关系.
偏置栅高压MOS、温度效应、温度系数、ZTC(零温度系数)点
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TN403(微电子学、集成电路(IC))
2007-04-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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