无中间层双大马士革中FSG刻蚀技术研究

摘要：

随着超大规模集成技术的发展,芯片尺寸的日益缩小,铜作为连接材料的优越性日益显现.由于铜的反应生成物不具有挥发性,刻蚀很难实现.只有先在硅片上作好双大马士革结构,然后填入铜来实现铜互连.文章研究无中间层双大马士革中FSG刻蚀技术,将刻蚀过程细分为四步实施:VIA通孔刻蚀、BARC刻蚀、Trench沟槽刻蚀和阻挡层刻蚀(Nirtide Remove),解决刻蚀过程中出现的主要问题.

关键词：双大马士革、无中间层、FSG、刻蚀

所属期刊栏目：6

分类号：TN305.94(半导体技术)

在线出版日期：2007-01-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：37-41,48