10.3969/j.issn.1681-1070.2006.07.008
CMOS集成温度传感器中的器件模型分析
根据CMOS集成温度传感器对器件的要求,对MOS器件的亚阈值模型和MOS工艺下的双极型器件进行了分析对比,选用后者更适合作为CMOS集成温度传感器的器件,并对衬底PNP管压电结型效应对温度传感器的影响进行了分析,最后对不同类型电阻进行了分析对比,为CMOS集成温度传感器设计打下了理论基础.
集成温度传感器、亚阈值模型、压电结型效应、电阻
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TN402(微电子学、集成电路(IC))
湖南省自然科学基金05JJ30115
2006-08-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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