10.3969/j.issn.1681-1070.2006.06.010
不同栅氧厚度NMOS管的热载流子效应
文章主要讨论在相同工艺条件下,针对不同栅氧厚度(例如:Tox分别为150A、200A、250A)的NMOSFET进行加速应力试验,在试验中当某些参数的漂移量达到失效判据规定的值时(例如:阈值电压改变50mV),可以得到器件的应力寿命,由此估计该器件在正常工作条件下的寿命值,并对该工艺的热栽流子注入效应进行评价.
热载流子效应、栅氧厚度、寿命
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TN4(微电子学、集成电路(IC))
2006-07-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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