10.3969/j.issn.1681-1070.2006.04.009
MOS管器件击穿机理分析
讨论了MOS管击穿的分类,以及击穿时场强分布情况,在此基础上,列举和分析了MOS管击穿的发生区域,主要是结击穿和漏区击穿.文章对雪崩击穿和穿通击穿机理进行了描述,并对MOS管开启击穿进行了分析.
击穿、场强、SNAP BACK
6
TN406(微电子学、集成电路(IC))
2006-05-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
36-39,35
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10.3969/j.issn.1681-1070.2006.04.009
击穿、场强、SNAP BACK
6
TN406(微电子学、集成电路(IC))
2006-05-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
36-39,35
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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