10.3969/j.issn.1681-1070.2006.04.007
亚微米CMOS电路中VDD-VSS ESD保护结构的设计
文章根据一个实际电路中ESD保护结构的设计,引出了一种亚微米CMOS IC中基于RC延迟而设计的VDD-VSS之间直接电压钳位结构,并结合例子中此结构前后的修改优化对该结构进行了详细的仿真分析.进一步比较了两种VDD-VSS电压钳位结构的优劣.最后阐述了亚微米CMOS电路的设计中,全芯片ESD结构的有效设计.
亚微米CMOS IC、ESD、VDD-VSS电压钳位结构、低阻抗大电流泄放通道
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TN402(微电子学、集成电路(IC))
2006-05-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
28-32,27