亚微米双层多晶硅自对准双极晶体管性能研究

摘要：

本文采用亚微米工艺和自对准技术制作了发射区宽度分别为0.8μm和0.4μm的两种双层多晶硅自对准双极晶体管.其中采用的是深沟和LOCOS两种隔离联合的隔离方法;EB间自对准是通过均匀的高质量的SiNx侧墙实现的,EB结击穿电压高达4.5V;窄的发射区使得发射极多晶硅在发射区窗口严重堆积,引起了双极晶体管的电流增益增大,同时也降低了管子的速度.工艺和器件模拟显示,发射极多晶硅采用原位掺杂技术,双极晶体管的性能得到了很大的改善.

关键词：多晶硅发射极、双层多晶硅自对准(DPSA)、原位掺杂

所属期刊栏目：5

分类号：T322+.8

在线出版日期：2005-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：29-33