10.3969/j.issn.1681-1070.2005.08.008
一种应用于深亚微米CMOS工艺的ESD保护电路
本文研究了一种基于动态栅极悬浮技术的ESD保护电路,并根据全芯片ESD防护的要求设计了试验电路.采用TSMC 0.18 μ m CMOS工艺实现了试验电路,测试显示芯片的ESD失效电压达到了7kV.
ESD、ESD保护、动态栅极悬浮
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TN402(微电子学、集成电路(IC))
国家高技术研究发展计划863计划2002AA1Z1711
2005-09-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
27-31,22