10.3969/j.issn.1681-1070.2005.07.005
MCM-D技术电热特性综述
本文主要说明了淀积型多芯片组件(MCM-D)技术所使用的主要材料的热特性.此技术采用倒装片技术把硅芯片安装到硅基板上.阐述了薄膜电阻和接触电阻的测量与所使用金属的温度范围-28℃~100℃的比较.一套典型的试验结构诸如开尔文接触、横桥电阻(CBR)及Van der Pauw结构不仅已用于此技术,而且为了测试通过球倒装片连接的接触电阻,采用一新的开尔文式结构.已获得MCM封装的热模型,并考虑由此类封装增加的所有的热电阻.
凸点压焊、电试验结构、MCM-D、多芯片组件、热分析
5
TN305.94(半导体技术)
2005-09-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
17-22