10.3969/j.issn.1681-1070.2005.06.009
0.8μm PD SOI MOS器件研究
本文重点介绍了0.8μm PD SOI MOS器件的结构、KINK效应、热载流子效应和自加热效应等,并对这些特性从物理机理上进行了简要的阐述.
PD SOI、KINK效应、热载流子效应、自加热效应
5
TN432(微电子学、集成电路(IC))
2005-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
35-39
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10.3969/j.issn.1681-1070.2005.06.009
PD SOI、KINK效应、热载流子效应、自加热效应
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
2005-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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