深亚微米CMOS IC全芯片ESD保护技术

摘要：

CMOS工艺发展到深亚微米阶段,芯片的静电放电(ESD)保护能力受到了更大的限制.因此,需要采取更加有效而且可靠的ESD保护措施.基于改进的SCR器件和STFOD结构,本文提出了一种新颖的全芯片ESD保护架构,这种架构提高了整个芯片的抗ESD能力,节省了芯片面积,达到了对整个芯片提供全方位ESD保护的目的.

关键词：深亚微米、CMOS、ESD、LVTSCR、STFOD、全芯片

所属期刊栏目：5

分类号：TN406(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2005-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：26-30,7