10.3969/j.issn.1681-1070.2005.03.009
WSix复合栅薄膜工艺开发
本文对CVD WSix制造设备及工艺进行了详细的描述,以大量的实验数据为依据,开发出适合本科研生产线WSix复合栅薄膜的工艺标准.
WSix、"Polycide"复合栅、电阻率、RTP退火
5
TN405(微电子学、集成电路(IC))
2005-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
37-40
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10.3969/j.issn.1681-1070.2005.03.009
WSix、"Polycide"复合栅、电阻率、RTP退火
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TN405(微电子学、集成电路(IC))
2005-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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