10.3969/j.issn.1681-1070.2004.04.009
嵌入式F1ash Memory Cell技术
本文分析了目前常用的快闪存储器(Flash Memory)存储单元结构,介绍了一种适用于嵌入的单元结构,存储器阵列设计、可靠性设计技术.
快闪存储器、非易失性存储器、Cell、SSI
4
TN333.5(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863计划
2005-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
33-37,40
点击收藏,不怕下次找不到~
10.3969/j.issn.1681-1070.2004.04.009
快闪存储器、非易失性存储器、Cell、SSI
4
TN333.5(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863计划
2005-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
33-37,40
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话:4000115888 举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn