10.3969/j.issn.1681-1070.2004.02.011
Bipolar技术中多晶发射极的腐蚀
在现代比较先进的Bipolar技术中,一般采用多晶发射极结构,这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性,因此,这种结构得到广泛的应用.由于这种结构中多晶是直接和硅衬底接触的,多晶腐蚀时要注意过腐蚀量、腐蚀均匀性以及腐蚀后硅衬底的形貌问题.本文主要介绍在这种工艺过程中我们进行的相关实验以及控制方法.最后,简单介绍我们工艺开发的第一批结果.
多晶发射极、腐蚀、双极CMOs兼容、形貌
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TN305.2(半导体技术)
2005-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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