测试结深的另一种方法

摘要：

传统的结深测试方法有:汞探针电容法、扩展电阻法、染色SEM法等,上述方法都具有相应的优点和局限性,本文介绍另外一种通过侧面结电容测试结深的方法,它可以嵌入电路中进行对任何一步工序后的结深监控,也可以在流片完成后对最终的结深进行监控,相比传统测试方法,它的突出优点是不具有破坏性,并且可以设计成一种PCM测试结构进行监控.

关键词：测试、结深、电容

所属期刊栏目：4

分类号：TN407(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2005-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：59-60