0.4～0.25μm时代的离子注入技术

摘要：

@@ 1超微细MOS中的离子注入对于离子注入技术,可以说从浅结注入开始大约已有10年的研究历史,有关该技术的研究结果已有一些已经发表,诸如,预非晶化和低能量注入以及灯退火(RTA).

机标关键词：时代、离子注入技术、能量注入、非晶化、超微细、退火、历史

所属期刊栏目：2

分类号：TB3;V22

在线出版日期：2005-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：51-54