0.4～0.25μm时代光刻技术

摘要：

@@ 1前言近年来,超LSI开发进展十分惊人.虽然代表0.5μm时代器件的16MDRAM,由于受到当时半导体业不景气的影响而其开发比当初预测要迟些,但其批量生产逐渐达到稳定化.同时,下一代器件--64MDRAM和256MDRAM的研究开发依然如预测的进度进行着,现状是:丝毫未感到开发进度在放缓.

机标关键词：时代、开发进展、预测、器件、批量生产、稳定化、半导体

所属期刊栏目：2

分类号：TS2;TQ4

在线出版日期：2005-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：43-46