10.3969/j.issn.1681-1070.2002.05.005
PBL隔离技术
本文介绍了Polysilicon Buffered LOCOS(PBL)隔离工艺技术,与常规的LOCOS相比,PBL只是在氧化层和氮化硅(SiN)之间加了一层多晶,用作缓冲层.缓冲层的引入,有效地减少了鸟嘴长度.
LOCOS、PBL、鸟嘴、多晶硅
2
TN405.97(微电子学、集成电路(IC))
2005-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
21-23,64
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10.3969/j.issn.1681-1070.2002.05.005
LOCOS、PBL、鸟嘴、多晶硅
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TN405.97(微电子学、集成电路(IC))
2005-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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