高性能集成电路在片ESD保护设计与评价
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10.3969/j.issn.1681-1070.2002.03.012

高性能集成电路在片ESD保护设计与评价

引用
本文详细介绍了在片静电泄漏(ESD)保护设计的各种技术,包括ESD测试模式,ESD失效机理,ESD保护结构,ESD器件模拟,ESD模拟,ESD版图设计,ESD与内部电路的接口等,并给出了ESD设计检查清单.

静电泄漏、集成电路、ESD、HDM、MM、CDM

2

TN305(半导体技术)

2005-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共11页

34-44

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电子与封装

1681-1070

32-1709/TN

2

2002,2(3)

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