高级混合微电路用新型封装材料

摘要：

混合微电路技术的飞速发展对传统封装材料提出了更新、更高的要求.尤其是像柯伐这种热膨胀系数低的传统封装材料,已不能满足大功率GaAs和Si集成电路器件的要求.目前国际上出现一种新型封装材料,即AISiC金属基体复合物(MMC)材料,以其优越的物理特性及电性能成为高级混合微电路封装的理想材料.本文通过与传统封装材料的对比,展示了这种新型封装材料的优越性、并阐述了它的制造工艺及其应用前景.

关键词：AISiC封装材料、金属基体复合物(MMC)

所属期刊栏目：1

分类号：TN305.94(半导体技术)

在线出版日期：2005-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：20-23