基于GaN的大功率高线性固态发射机研制

摘要：

介绍了一种GaN大功率高线性固态发射机。利用GaN HEMT的高功率特性,结合新型波导魔T低损耗功率合成的特点,在7.9~8.4GHz范围内实现了连续波饱和输出功率大于200W,效率大于20%。此外,应用新型模拟预失真方法提升功放的线性化指标,在额定输出功率下三阶交调指标(IMD3)优于-30dBc,改善功放的线性度11dB。该发射机具有输出功率大,线性度好等优点,整体性能优于国外同类产品。

关键词：固态功放、发射机、氮化镓、功率合成、预失真

所属期刊栏目：31

分类号：TN834(无线电设备、电信设备)

在线出版日期：2016-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：61-65