Array Mask Defect检测方法研究
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10.3969/j.issn.1000-8519.2021.15.039

Array Mask Defect检测方法研究

引用
本文在现有资源基础上从AOI检测原理出发,结合量产检测的实际情况,分析在线产品的灰阶特性的影响因素发现Mask Defect检出率低的主要原因有以下三点:一是正常产品刻蚀后再做PHT图形,无衬底,开口区透光性高,很多Defect特征减弱,隐藏于信号噪声中;二是多道Mask图形叠加后,TFT图形复杂,灰阶图上信号噪音的区域会变宽,当算法进行降噪滤波处理时容易将真实缺陷过滤;三是AOI 3um检测的图形清晰度不够,导致较多缺陷未被识别出来而造成漏检.由此,针对Mask Defect检测在量产监控中存在的问题,提出了SiO衬底,单层曝光,1um AOI精度检测.该方案大大提升了Mask Defect的在线检出率,对Mask的日常监控管理具有重大意义.

AOI;mask defect;TFT;SiO衬底

2021-11-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

111-112,130

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1000-8519

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