磁场作用下冷热探针测硅片的载流子浓度

摘要：

制作并改进了传统的冷热探针测半导体导电类型的实验装置,即使传统冷热探针原来固定的温度差改进为数值可变的量,做出了p、n型硅半导体样品的温差电动势随冷热探针温度差的变化关系.发现温差小于120℃时温差电动势与温差成正比,进而提出了一种测半导体掺杂浓度的实验测量方法.把装置处于磁场作用下,发现基于硅片的冷热探针产生的温差电动势有所增加.

关键词：温差电动势、导电类型、掺杂浓度、磁场

资助基金：上海市大学生科技创新项目

在线出版日期：2020-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：52-53,62