10.3969/j.issn.1000-8519.2019.11.022
氮化镓基PIN紫外探测器芯片研究
通过对氮化镓基PIN紫外探测器不同外延结构及芯片制备工艺的研究,发现探测器性能和外延层结晶质量及芯片制备工艺有很大的关系.采用ITO扩展电极制备的探测器反向漏电很大,暗电流高,采用Ni/Au半透明电极制备的探测器芯片,光电流相对ITO透明电极有一定程度的降低,但能保证较低的暗电流,防止器件漏电.
探测器、紫外、Ni/Au、ITO
2019-07-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
63-64