激发功率对GaInNAs单量子阱材料的光致发光的影响

摘要：

Ga(In)AsN材料是一种新颖的半导体材料,对其进行适当的n型掺杂后其能带可调,宽度可调范围为0.8-1.4 eV,并且与Ge、GaAs衬底材料晶格匹配.这种独特的性能为新型光电器件的研发和应用提供了一个不可取代的候选材料.通过低温(T=10K)光致发光方法研究了激发功率密度对GaInNAs/GaAs单层子阱结构光致发光(PL)性能的影响.

关键词：化合物半导体、希氮、光致发光、载流子浓度、激子、复合、束缚态

资助基金：国家自然科学基金项目11364041

在线出版日期：2018-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：42-43,48