10.3969/j.issn.1000-8519.2017.12.024
单轴应变Si NMOS电流模型研究
应变Si技术是目前延续摩尔定理,推动集成电路高速发展的重要技术,本文从单轴应变Si技术提升器件结构出发,基于基本的器件物理方程,建立单轴应变Si器件电流-电压模型,该模型充分考虑了应力等因素对阈值电压和电流的影响,仿真结果表明仿真结果与试验结果一致.
单轴、应变Si、模型
TV5;TH1
2017-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
54-55,38
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10.3969/j.issn.1000-8519.2017.12.024
单轴、应变Si、模型
TV5;TH1
2017-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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