X波段GaN收发前端芯片设计

摘要：

本文设计了一款基于0.25 um氮化镓PHEMT工艺的8.5-10.5GHz MMIC收发前端芯片,该收发前端由一个功率放大器和一个单刀双掷开关组成.经仿真优化后,在工艺线上进行了流片,并载片测试了其性能参数.测试结果显示,发射路的功率放大器饱和输出功率大于33dBm,功率附加效率39%.接收路开关插入损耗0.6dB,开关隔离度大于37dB.

关键词：前端芯片、测试

分类号：TN9;TN7

在线出版日期：2017-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：16-17