10.3969/j.issn.1000-8519.2017.03.008
1064nm DBR半导体激光器结构的研究
本论文主要在DBR光栅结构的设计和制备工艺方面开展了系统地研究工作,采用MOCVD系统对1064nm半导体激光器外延结构进行生长,通过湿法腐蚀工艺制备出了3.5μm宽的脊形波导.在DBR光栅制备过程中,采用325nm全息曝光系统对脊形波导进行全息光刻,并利用ICP干法刻蚀,制备出光栅的周期结构.
半导体激光器、布拉格反射器、布拉格光栅、激光器、波导
TN2;TN3
2017-07-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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