二维半导体光电性质与器件研究进展简述

摘要：

二维半导体材料,如过渡金属硫族化合物,以其在光电器件方面展现出的独特性能与巨大潜力,成为后摩尔时代有极大发展前景的新半导体材料.二维材料具有独特的光电性质,如直接带隙的电子结构,谷自旋电子学特性,强激子效应等,而利用以上性质,此类材料可用于光探测器、场效应晶体管、高效微纳传感器、光电子电路等微纳光电器件中.因此,以过渡金属硫族化合物为代表的二维半导体材料无论在基础科学与未来应用方面,都是重要的备选材料.

关键词：二维材料、过渡金属硫族化合物、光电器件、石墨烯

分类号：TB3;O4

在线出版日期：2017-06-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：115-116