高增益宽频带GaN功率放大器设计

摘要：

针对新一代半导体材料氮化镓（Gallium Nitride，GaN）带宽大、效率高的优点，利用ADS谐波平衡仿真软件，设计了一个1.5~2.5GHz宽带高效的功率放大器。设计采用Cree公司的GaN 高电子迁移率晶体管CGH40010F，利用晶体管的大信号模型进行电路仿真，结果显示，功放在1.5~2.5GHz频带内，饱和输出功率大于41.7dBm，小信号增益大于18dB，功率附加效率大于70%。

关键词：氮化镓、功率放大器、效率、电抗匹配

分类号：TN3;TN4

在线出版日期：2016-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：14-15