多晶硅少数载流子寿命的分析与检测

摘要：

少数载流子寿命(以下简称少子寿命)是衡量晶硅半导体性能的重要参数.在实际生产中少子寿命受到多种因素的影响,如硅片厚度、杂质含量、晶粒均匀性、内部缺陷等.检测少子寿命主要的方法有三大类,根据载流子在半导体中产生的不同途径而有瞬态法、稳态法和准稳态法;根据光电压进行的检测;以及光束诱导电流法、电子束诱导电流法等其它方法,并指出这些方法的优缺点.

关键词：多晶硅、少数载流子寿命、分析、检测

分类号：TM914.4

资助基金：江西省教育厅科技课题GJJ11672;闽南师范大学博士科研启动金:2002L21332

在线出版日期：2015-12-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：67-69