硅片缺陷自动检测分类方法探究

摘要：

作为电池发电实际效率的重要影响因素，硅片质量具有重要作用。生产硅片的过程中需要综合考虑多种因素，这是因为硅片生产本身具有一定的缺陷。其中，多晶硅片经常性的缺陷主要是纯度不高以及位错缺陷。单晶硅片当中产生的缺陷主要是漩涡缺陷。出现硅片缺陷可能会造成电池片发电能力受到影响，并降低电池的使用寿命。为此，加强对半导体硅片的自动检测分类方法进行研究具有重要意义。

关键词：硅片、缺陷、自动检测

分类号：TN3;TN4

在线出版日期：2015-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：28-29