SiNx 掩膜对GaN 外延薄膜性质的影响

摘要：

研究了纳米量级的多孔 SiNx 插入层的生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响。测量结果表明：当把SiNx 插入层生长在GaN 粗糙层上，能够得到最好的晶体质量；SiNx 插入层的生长位置对GaN 薄膜的应变大小基本没有影响；然而，插入层的位置改变了薄膜中的本征载流子浓度。

关键词：外延、氮化镓、位错、氮化硅掩膜

资助基金：厦门理工学院教学改革与建设项目题目必修、选修工种相结合的新型工程训练培养模式编号JGY201459

在线出版日期：2015-06-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：53-55,52