晶体管技术领域趋势分析

摘要：

22nm以后的晶体管技术领域，靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的，有几种改进工艺，目前有多种新器件结构可供选择，如FinFET、3栅结构、纳米线和ET-FD-SOI。下面将重点分析下其他半导体公司在22nm节点或是20nm半节点上的一些动态进展，以供我们在研发定性能参数做参考。

关键词：晶体管、改进工艺、动态进展

分类号：TS2;TP3

在线出版日期：2014-07-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：123-125