10.3969/j.issn.1000-8519.2013.08.034
MgO掩蔽层及其腐蚀法图形化工艺的探究
MgO 薄膜对硅的高刻蚀选择比使其成为硅深刻蚀过程中重要的掩蔽层材料.本文采用腐蚀法对 MgO 掩蔽层薄膜进行图形化,得到了一组能够快速对 MgO 薄膜图形化的工艺参数.
MgO薄膜、刻蚀选择比、掩蔽层、图形化
2013-06-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
71-72
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10.3969/j.issn.1000-8519.2013.08.034
MgO薄膜、刻蚀选择比、掩蔽层、图形化
2013-06-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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