蓝紫色LD的远场特性仿真分析

摘要：

本文介绍了半导体激光器的发展过程和应用领域,以及基本工作原理.对蓝紫色半导体激光器的基本结构和远场特性进行了描叙,给出了远场模场表达式,计算出基于亥姆霍兹方程的严格远场解.根据远场模场表达式和严格远场解,应用CrossLight公司的LASTIP仿真软件,对蓝紫色LD(InGaN)的远场特性进行仿真,得到了蓝紫色LD的V-I特性图、P-I特性图、能带图、发散角图及远场特性图,并对结果进行了分析,最后得出了结论,对蓝紫色LD的实际应用有及其重要的指导作用和现实依据.

关键词：半导体激光器、蓝紫色LD、远场特性、量子阱

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2011-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：68-72