VIP50工艺技术为后盾NS大幅提升各种放大器性能

摘要：

@@ VIP50工艺是美国国家半导体(NS)独家专有的全新绝缘硅(SOI)BiCMOS工艺技术,VIP50的晶体管都装设于SOI圆片之上,然后以沟道互相隔离.这种隔离设计可将寄生电容减至极少,并可大幅提高放大器的带宽/功率比.其工艺优点是可以确保放大器芯片能在0.9V～12V之间的供电电压范围内操作.

机标关键词：工艺技术、提升、放大器、寄生电容、工艺优点、隔离、电压范围、绝缘硅、晶体管、功率比、半导体、圆片、芯片、设计、美国、国家、沟道、供电、带宽、操作

分类号：TN7(基本电子电路)

在线出版日期：2007-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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