创新制造工艺为后盾ADI iCMOS显著提高模拟IC性能

摘要：

@@ 目前集成电路制造工艺正在重新开拓工业市场,迄今为止,在电噪声环境中高电压工作的数据转换器、放大器、开关、多路复用器和其他器件一直在减小制造工艺尺寸的发展路线上努力不懈.对此,ADI(美国模拟器件公司)提出了iCMOS--工业CMOS制造工艺技术,使客户可以在采用亚微米(0.6 μm)尺寸工艺的器件上施加高达30V电压,可选的漏极扩展允许工作电压高达50V.

机标关键词：创新、集成电路制造工艺、模拟器件、中高电压、数据转换器、多路复用器、噪声环境、工作电压、工艺技术、工艺尺寸、工业市场、发展路线、尺寸工艺、亚微米、放大器、美国、扩展、客户、开关、加高

分类号：TN4;TN3

在线出版日期：2007-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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